| 发明名称 | EUV光刻用反射型掩模坯料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。 | ||
| 申请公布号 | CN102203906B | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN200980143609.1 | 申请日期 | 2009.10.28 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 林和幸 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I;G03F1/46(2012.01)I;G03F1/54(2012.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和对掩模图案检查光为低反射的低反射层，其中所述检查光的波长为190～260nm，所述低反射层至少含有钽（Ta）、氧（O）和氢（H），在所述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at%，H的含有率为0.1～15at%。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||