| 发明名称 | 用于半导体装置的富陷阱层 | ||
| 摘要 | 一种集成电路芯片形成有有源层和富陷阱层。所述有源层形成有有源器件层和金属互连层。所述富陷阱层在所述有源层上方形成。在一些实施方案中，所述有源层包括在半导体晶片内，且所述富陷阱层包括在处理晶片内。 | ||
| 申请公布号 | CN103348473A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201180061407.X | 申请日期 | 2011.12.07 |
| 申请人 | IO半导体股份有限公司 | 发明人 | C.布林德尔;M.A.斯图伯;S.B.莫林 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种方法，包括：为集成电路芯片形成有源层，所述有源层包括有源器件层和金属互连层；以及在所述有源层之上形成富陷阱层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||