| 发明名称 | 太阳能电池器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种太阳能电池器件及其制备方法，该太阳能电池器件包括依次层叠的衬底、背电极层、吸收层、窗口层、透明电极层和金属栅极层，还包括设置于吸收层和窗口层之间的复合缓冲层，复合缓冲层包括依次层叠于吸收层上的CdS层和Zn1-xMgxO层，其中，0<x≤0.33。Zn1-xMgxO层的透光光谱范围较宽，能够弥补单层CdS层的透光光谱范围较窄、太阳光利用率低的缺陷，复合缓冲层综合了CdS层可以与吸收层形成较好的异质结的优点及Zn1-xMgxO层的透光范围较宽的优点，有利于提高太阳能电池器件的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103346179A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310284715.X | 申请日期 | 2013.07.08 |
| 申请人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明人 | 杨春雷;徐苗苗;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;于冰;郭延璐;鲍浪 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种太阳能电池器件，包括依次层叠的衬底、背电极层、吸收层、窗口层、透明电极层和金属栅极层，其特征在于，还包括设置于所述吸收层和窗口层之间的复合缓冲层，所述复合缓冲层包括依次层叠于所述吸收层上的CdS层和Zn1‑xMgxO层，其中，0<x≤0.33。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||