发明名称 |
基于介质调制的中红外多频段及宽频带周期性吸波结构 |
摘要 |
基于介质调制的中红外多频段及宽频带周期性吸波结构,属于功能材料与器件技术领域,本发明包括连续的底层金属薄膜和设置于底层金属薄膜上的圆形吸波单元阵列,各吸波单元尺寸相同,所述吸波单元包括至少两层介质层,且各层介质的介电常数相异,相邻介质层之间为金属层,最上一层介质层的上面设置有金属层。本发明通过多层结构叠加的形式可以灵活实现双波段、三波段及更多波段的多波段吸收结构,或者宽频带吸收结构,且吸波性能优异。 |
申请公布号 |
CN103346409A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310223590.X |
申请日期 |
2013.06.06 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
周佩珩;张楠;陈良;谢建良;梁迪飞 |
分类号 |
H01Q17/00(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q17/00(2006.01)I |
代理机构 |
成都惠迪专利事务所 51215 |
代理人 |
刘勋 |
主权项 |
基于介质调制的中红外多频段及宽频带周期性吸波结构,其特征在于,包括连续的底层金属薄膜和设置于底层金属薄膜上的圆形吸波单元阵列,各吸波单元尺寸相同,所述吸波单元包括至少两层介质层,且各层介质的介电常数相异,相邻介质层之间为金属层,最上一层介质层的上面设置有金属层。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |