发明名称 |
一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法,纳米材料首先与铁离子层结合,然后通过气相聚合后可以获得导电聚合物超薄层。同时LB膜沉积可以形成大面积纳米材料的有序排布。因此,获得的导电聚合物和纳米材料的薄膜具有厚度超薄、比表面积大并可大面积制备的优点;并且方法简单,易于操作。 |
申请公布号 |
CN103342474A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310234932.8 |
申请日期 |
2013.06.14 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
杨亚杰;杨文耀;徐建华;李世彬;蒋亚东 |
分类号 |
C03C17/23(2006.01)I;C03C17/32(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C08G73/06(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/23(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
谭新民 |
主权项 |
一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法,其特征在于,包括:将羟基化的纳米材料分散于第一混合溶液中,获得纳米材料分散溶液;将含铁氧化剂溶于第二溶剂中,获得第二溶液;将所述纳米材料分散溶液铺展于所述第二溶液表面,从而在所述第二溶液表面形成纳米材料/铁离子复合薄膜;用LB成膜法将所述纳米材料/铁离子复合薄膜转移到基片表面;将沉积了所述纳米材料/铁离子复合薄膜的所述基片放入氯化氢气氛中第一时间,从而在所述基片上形成纳米材料/三氯化铁复合薄膜;将形成了所述纳米材料/三氯化铁复合薄膜的所述基片置于导电聚合物单体气氛中第二时间,从而在所述基片上形成导电聚合物和纳米材料的薄膜。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |