发明名称 |
外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用 |
摘要 |
本发明涉及一种外延衬底,用于生长外延层,该外延衬底包括:一基底,该基底具有一图案化的表面作为外延生长面,其中,所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。 |
申请公布号 |
CN102263171B |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201110172964.0 |
申请日期 |
2011.06.24 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种外延衬底,用于生长外延层,该外延衬底包括:一基底,该基底具有一图案化的表面作为外延生长面,其特征在于,所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置,所述碳纳米管层具有多个空隙,该多个空隙沿所述碳纳米管层的厚度方向贯穿所述碳纳米管层,所述碳纳米管层中的碳纳米管的延伸方向平行于所述碳纳米管层所在的平面,所述基底的外延生长面具有多个凹槽,所述碳纳米管层在对应所述凹槽的位置悬空设置。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |