基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器及制备方法

摘要

本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底，以纳米TiO2/SrTiO3异质结有源层为基体材料，以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2及SrTiO3溶胶，并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO3薄膜及TiO2薄膜；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO2/SrTiO3异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。

主权项

一种基于TiO2/SrTiO3异质结有源层的金属‑半导体‑金属结构光伏型紫外光探测器，其特征在于：从下到上依次包括硅片衬底（5）、采用溶胶凝胶法在硅片衬底（5）上生长的纳米SrTiO3薄膜（4）与纳米TiO2薄膜（3）构成的TiO2/SrTiO3异质结有源层、在TiO2/SrTiO3异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au插指电极（2），待探测的紫外光（1）从Au插指电极（2）的上方入射；硅片衬底的厚度为0.5～2mm，纳米SrTiO3薄膜的厚度为100～200nm，纳米TiO2薄膜的厚度为10～50nm；金属插指电极的指间距、指宽度、厚度分别为5～30μm、5～30μm、0.05～0.15μm。