一种多晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，该多晶硅薄膜主要应用在微电子和光电子材料和器件制造领域。该方法主要包括以下步骤：（1）绝缘衬底的选择和制备。在硅片上用热氧化法氧化一层SiO2或者用等离子体化学气相沉积法沉积一层SiO2，或者直接选用石英玻璃作为衬底。（2）晶核层的制备。用普通的化学气相沉积法沉积一层小晶粒的多晶硅，或者直接在绝缘衬底上外延生长多晶硅。（3）多晶硅薄膜的制备。用硅烷或者DCS在晶核层上进行气相外延生长，或者直接在绝缘衬底上进行气相外延生长。本发明中制备多晶硅薄膜的方法，可以制备出晶粒尺寸大，均匀性好，大面积的多晶硅薄膜，从而用作集成电路或者薄膜场效应晶体管的衬底。

主权项

一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征步骤在于：(1)绝缘衬底的选择和制备：(2)晶核层的制备；(3)多晶硅薄膜的制备。