| 发明名称 | 紫外探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种紫外探测器及其制备方法。所述紫外探测器包括：ZnO衬底；布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及布置在所述BeO绝缘层上的MxZn1-xO薄膜层，其中，M为Mg或Be，0<x<1。本发明的紫外探测器采用ZnO材料作为衬底，MxZn1-xO薄膜可在ZnO衬底上实现低应变的准同质外延生长，从而具备更高的结晶质量，因此非常适合做各种环境下的紫外乃至深紫外探测材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103346198A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310296878.X | 申请日期 | 2013.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 梅增霞;侯尧楠;梁会力;刘尧平;杜小龙 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;薛峰 |
| 主权项 | 一种紫外探测器，包括：ZnO衬底；布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及布置在所述BeO绝缘层上的MxZn1‑xO薄膜层，其中，M为Mg或Be，0<x<1。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||