| 发明名称 | 形成金红石二氧化钛的方法以及形成半导体结构的相关方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示形成金红石二氧化钛的方法。所述方法包含将过渡金属(例如V、Cr、W、Mn、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ge、Sn或Pb)暴露于氧气(O2)以氧化所述过渡金属。在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。通过原子层沉积将气态卤化钛前体和水引入所述氧化的过渡金属而形成所述金红石二氧化钛。还揭示形成具有金红石二氧化钛的半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103348455A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201280007981.1 | 申请日期 | 2012.01.26 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 黄才育;维什瓦纳特·巴特;瓦西尔·安东诺夫;克里斯·卡尔森 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种形成金红石二氧化钛的方法，所述方法包含：将过渡金属暴露于氧气(O2)、一氧化氮(NO)和一氧化二氮(N2O)中的至少一者，以形成氧化的过渡金属；和在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||