发明名称 电容式硅麦克风芯片及其制备方法
摘要 本发明涉及一种电容式硅麦克风芯片及其制备方法,该芯片包括:硅衬底;形成于衬底上表面的一下沉式凹槽;形成于凹槽中的下极板和振动膜,振动膜以一空气隙为间隔、以一支撑体为支撑、设置于下极板上方,振动膜上设有多个释放孔,释放孔连通芯片外部与空气隙;以及背腔,形成于衬底背部,并延伸至下极板底部;其中,振动膜上表面的高度低于衬底上表面。在利用水刀划片方法对晶圆进行划片时,该芯片可有效避免对芯片造成损伤或污染,从而提高了芯片产能、降低了生产成本。
申请公布号 CN103347241A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310277564.5 申请日期 2013.07.03
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 叶红波;王勇
分类号 H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R19/04(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种电容式硅麦克风芯片,包括:硅衬底;形成于所述衬底上表面的一下沉式凹槽;形成于所述凹槽中的下极板和振动膜,所述振动膜以一空气隙为间隔、以一支撑体为支撑、设置于所述下极板上方,所述振动膜上设有多个释放孔,所述释放孔连通所述芯片外部与所述空气隙;以及,背腔,形成于所述衬底背部,并延伸至所述下极板底部;其中,所述振动膜上表面的高度低于所述衬底上表面。
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号