一种利用原位腐蚀技术提高材料晶体质量的方法

摘要

本发明提供一种利用原位腐蚀技术提高材料晶体质量的方法，解决了现有技术较难控制，易导致材料特性改变的问题。该利用原位腐蚀技术提高材料晶体质量的方法具体是：在常规条件下进行化学气相沉积，使衬底材料上气相外延生长一定厚度的外延层；然后切换常规外延生长条件至分解条件，在上步生成的外延层的表面开始逐渐分解，分解一段时间之后切换分解条件至常规外延生长条件，在常规条件下对经上步处理的外延层继续外延生长，最后循环直到得到符合要求的低位错密度的高品质晶体材料，该方法为后期的器件制备提供良好的基础条件并提高器件性能，延长器件寿命。

主权项

一种利用原位腐蚀技术提高材料晶体质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：1]在常规条件下进行化学气相沉积，使衬底材料上气相外延生长一定厚度的外延层；2]切换常规外延生长条件至分解条件，在分解条件下步骤1生成的外延层的表面开始逐渐分解，分解一段时间之后进入步骤3处理；3]切换分解条件至常规外延生长条件，在常规条件下对经步骤2处理的外延层继续外延生长；4]循环步骤2、3直到得到符合要求的低位错密度的高品质晶体材料。