发明名称 |
短路保护结构 |
摘要 |
本发明涉及短路保护结构,包括第一晶体管、第二晶体管、控制电路、第一晶体管电流采样电阻和第二晶体管电流采样电阻,控制电路控制第一晶体管和第二晶体管的开关时间长度及占空比,第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端,第一晶体管的源端接一采样电阻,第二晶体管的源端接另一采样电阻,第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端并与控制电路的驱动级连接,第一晶体管和第二晶体管均为高压晶体管,第二晶体管的尺寸小于第一晶体管尺寸,第二晶体管采样第一晶体管的电流。该结构在电源系统中能够有效保护输出级晶体管,避免由于电流采样电阻短路造成的芯片或系统元器件损坏。 |
申请公布号 |
CN103346537A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310230700.5 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
苏州博创集成电路设计有限公司 |
发明人 |
陶平;李海松;庄华龙;易扬波 |
分类号 |
H02H7/20(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H7/20(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 32102 |
代理人 |
王玉国;陈忠辉 |
主权项 |
短路保护结构,其特征在于:包括第一晶体管、第二晶体管、控制电路、第一晶体管电流采样电阻和第二晶体管电流采样电阻,其中控制电路控制第一晶体管和第二晶体管的开关时间长度及占空比,第二晶体管采样第一晶体管的电流,所述第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端,所述第一晶体管的源端接一采样电阻,所述第二晶体管的源端接另一采样电阻,所述第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端并与控制电路的驱动级连接,所述第一晶体管和第二晶体管均为高压晶体管,第二晶体管的尺寸小于第一晶体管尺寸。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市园区独墅湖林泉街399号 |