发明名称 |
光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法 |
摘要 |
光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法,属于量子信息学领域,为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题,在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜,上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域,下电极接触层生长在衬底下面;表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成,内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半,横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配;所述量子环位于光学缺陷层中间,并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心;采用量子环作为发光介质,量子效率更高;量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。 |
申请公布号 |
CN103346476A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310254144.5 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
发明人 |
佟存柱;田思聪;汪丽杰;邢恩博;王立军 |
分类号 |
H01S5/125(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/125(2006.01)I |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
代理人 |
南小平 |
主权项 |
光子晶体纳腔量子环单光子发射器件,结构包括:表面横向二维光子晶体结构(1)、上电极(2)、P型布拉格反射镜(3)、光学缺陷层(4)、N型布拉格反射镜(5)、缓冲层(6)、衬底(7)、下电极(8)和量子环(9);其特征是,在衬底(7)上依次生长缓冲层(6)、N型布拉格反射镜(5)、光学缺陷层(4)和P型布拉格反射镜(3),上电极(2)生长在P型布拉格反射镜(3)上表面周边区域,下电极(8)生长在衬底(7)下面;所述表面横向二维光子晶体结构(1)在水平方向位于上电极(2)的内侧和量子环(9)的外侧,由微纳加工制成的空气孔洞‑半导体构成,空气孔洞垂直向下穿过P型布拉格反射镜(3)至N型布拉格反射镜(5);所述量子环(9)位于光学缺陷层(4)中间,并且位于P型布拉格反射镜(3)、N型布拉格反射镜(5)和横向二维光子晶体结构(1)构成的三维纳腔中心。 |
地址 |
130033 吉林省长春市东南湖大路3888号 |