用于制造至少一个光电子半导体器件的方法

摘要

一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法，具有以下步骤：a)提供载体（1）和在载体（1）的上侧（12）处施加多个在横向方向（L）上彼此有间距布置的光电子半导体芯片（2）；b)将至少一个反射性包封（3）施加在载体（1）的露出部位以及光电子半导体芯片（2）的侧面（24）上；c)将开口（5）引入反射性包封（3）中，所述开口完全穿透该反射性包封（3）；d)在所述反射性包封（3）上以及至少局部地在所述开口（5）中布置导电材料（8），其中，光电子半导体芯片（2）的辐射穿透面（25）没有所述反射性包封（3），以及所述反射性包封（3）在侧面未伸出所述光电子半导体芯片（2）。

主权项

用于制造至少一个光电子半导体器件（100）的方法，具有以下步骤：a)提供载体（1），该载体具有上侧（12）、与该载体（1）的上侧（12）相对的下侧（11）以及多个在横向方向（L）上并排布置在该上侧（12）处的连接面（13）；b)在载体（1）的上侧（12）处施加多个在横向方向（L）上彼此有间距布置的光电子半导体芯片（2），这些光电子半导体芯片分别具有至少一个背向载体（1）的接触面（22）；c)将至少一个反射性包封（3）施加在载体（1）的露出部位以及光电子半导体芯片（2）的侧面（24）上；d)将开口（5）引入所述反射性包封（3）中，所述开口完全穿透该反射性包封（3）并且从该反射性包封（3）的背向载体（1）的上侧（31）朝着该载体（1）的上侧（12）方向延伸；e)在所述反射性包封（3）上以及至少局部地在所述开口（5）中布置导电材料（8），其中‑该导电材料（8）分别将接触面（22）与分配给该接触面的连接面（13）导电连接，‑所述光电子半导体芯片（2）的辐射穿透面（25）没有所述反射性包封（3），以及‑所述反射性包封（3）在侧面未伸出所述光电子半导体芯片（2）。