减少金属硅化物掩模层缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种减少金属硅化物掩模层缺陷的方法。通过化学气相淀积氮化硅薄膜，在硅片上形成金属硅化物掩模层；化学气相法淀积的氮化硅薄膜中含有H元素；对金属硅化物掩模层执行紫外光治疗处理；对金属硅化物掩模层进行光刻和刻蚀以形成金属硅化物掩模层图案；然后溅射形成金属性物质层，并进行快速退火；最后执行金属硅化物剥离。本发明在氮化硅薄膜淀积后进行紫外光治疗处理，通过利用高能紫外光将薄膜中的Si-H、N-H等键断裂，有效降低氮化硅薄膜中H元素含量，防止氮化硅薄膜中H元素与光阻反应，从而减少金属硅化物掩模层工艺中的缺陷，提高工艺稳定性，改善产品良率。

主权项

一种减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于包括：通过化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜来在硅片上形成金属硅化物掩模层，与传统的热生长氮化硅薄膜相比，化学气相法淀积的氮化硅薄膜中含有H元素；对金属硅化物掩模层执行紫外光治疗处理。