薄膜场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种包括作为源极和漏极的含有Si、Mo和W中一种以上元素的氧化锌(ZnO系列)电极的薄膜场效应晶体管及其制备方法。

主权项

一种制备薄膜场效应晶体管的方法，该方法包括如下步骤：1)在基板上形成栅极；2)在所述基板和栅极上形成绝缘层；3)在所述绝缘层上形成半导体层；和4)使用含有Si、Mo和W中的一种以上元素的氧化锌电极材料形成源极和漏极，从而与所述半导体层连接，其中，在步骤4)的形成源极和漏极的过程中实施刻蚀工艺，并且该刻蚀工艺为使用含氟气体的干法刻蚀。