发明名称 发光器件
摘要 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例,一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光,所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
申请公布号 CN102104106B 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201010274406.0 申请日期 2010.09.07
申请人 株式会社东芝 发明人 彦坂年辉;佐藤高洋;三石巌;布上真也
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种发光器件,包括:半导体发光元件,其发射第一光,所述半导体发光元件包括衬底以及与所述衬底层叠并接触所述衬底的氮化物半导体层;安装构件,所述衬底被设置在所述氮化物半导体层与所述安装构件之间;第一波长转换层,其被设置在所述衬底与所述安装构件之间且与所述安装构件接触,所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光,所述第二光的波长大于所述第一光的波长;以及第一透明层,其被设置在所述衬底与所述第一波长转换层之间且与所述衬底和所述第一波长转换层接触,所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明,所述氮化物半导体层的折射率高于所述衬底的折射率,所述衬底的所述折射率高于所述第一透明层的折射率,所述第一透明层的所述折射率不小于所述第一波长转换层的折射率,并且所述第一透明层被配置为通过在所述第一透明层和所述衬底之间的界面处和在所述第一透明层和所述第一波长转换层之间的界面处反射所述第二光,而使所述第二光传播通过所述第一透明层并从所述第一透明层的侧面提取到外部环境。
地址 日本东京都