| 发明名称 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构;所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。该四结级联太阳电池带隙组合为1.90eV，1.42eV，～1.03eV，0.73eV，各个子电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103346191A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310223613.7 | 申请日期 | 2013.06.06 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 杨林;马翠平 |
| 主权项 | 一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，其特征在于：所述GaAs衬底具有双面生长结构；所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||