| 发明名称 | 等离子刻蚀方法及其装置、扩散阻挡层的等离子刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子刻蚀方法及其装置，以及应用上述装置对扩散阻挡层进行等离子刻蚀的具体方法，其中所述等离子刻蚀方法包括：在刻蚀腔体内的设置同心圆的外电极圈以及内电极圈；将待刻蚀的半导体晶圆置于所述外电极圈以及内电极圈的底部，且半导体晶圆的中心与所述外电极圈、内电极圈的圆心重合；向刻蚀腔体通入刻蚀气体；向外电极圈以及内电极圈通入电流，且使得所述外电极圈以及内电极圈的电流方向相反。本发明使得半导体晶圆表面的等离子气体分布均匀、各处刻蚀速率一致，改善半导体晶圆上各处扩散阻挡层的厚度一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN102412144B | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201010292452.3 | 申请日期 | 2010.09.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 聂佳相;何伟业;孔祥涛;陈碧钦 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种等离子刻蚀方法，其特征在于，包括：在刻蚀腔体内设置同心圆的外电极圈以及内电极圈；将待刻蚀的半导体晶圆置于所述外电极圈以及内电极圈的底部，且半导体晶圆的中心与所述外电极圈、内电极圈的圆心重合；向刻蚀腔体通入刻蚀气体；向外电极圈以及内电极圈通入直流电流，且使得所述外电极圈以及内电极圈的电流方向相反；预先设定对外电极圈及内电极圈的单次通电时间，在所述等离子刻蚀过程中，间隔所述的单次通电时间，同时改变外电极圈及内电极圈的直流电流的方向。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||