内部集成有电容器的半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括集成在内部的电容器。在实施例中，半导体器件包括基板，所述基板包括第一导电型掺杂材料。多个沟槽在基板内成型。所述半导体器件也包括紧邻沟槽成型具有第二导电类型掺杂材料的扩散区。电容器在沟槽内并且至少部分地在基板之上成型。所述电容器包括至少一个第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间成型的介电材料。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括:基板，所述基板具有第一导电型掺杂材料；多个在所述基板内设置的沟槽；邻近所述多个沟槽设置的扩散区，所述扩散区具有第二导电型掺杂材料；以及金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器，所述金属‑绝缘体‑金属电容器在所述多个沟槽的每个沟槽中形成。