一种发光二极管的外延片

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为多周期结构，每个周期包括InxGa1-xN层和生长在所述InxGa1-xN层上的GaN层，所述应力释放层各周期结构中的InxGa1-xN层的厚度从下至上递增。本发明通过在n型层与多量子阱层之间设置应力释放层，该应力释放层是多周期结构，且应力释放层各周期结构中的InxGa1-xN层的厚度从下至上递增，可以逐步释放衬底与n型层之间积累的应力，提高了外延片的发光效率。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为多周期结构，每个周期包括InxGa1‑xN层和生长在所述InxGa1‑xN层上的GaN层，所述应力释放层各周期结构中的InxGa1‑xN层的厚度从下至上递增。