| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。 | ||
| 申请公布号 | CN103348479A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201280007853.7 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 先进动力设备技术研究协会 | 发明人 | 内海诚;加藤祯宏;岩见正之;古川拓也 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在所述基板的上方，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在所述通道层上；第1电极，其设置在所述阻挡层上；以及第2电极，其设置在所述通道层的上方，所述阻挡层是重复层积势垒层和量子能级层而形成的，所述势垒层设置在所述通道层上、由比所述第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成，所述量子能级层设置在所述势垒层上、由比所述第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||