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一种针对单粒子效应进行加固的开关电容缓冲器电路，其特征是，由采样开关S1、S2，采样电容C1、C2，第一比较器和第二比较器，驱动输出的运放，冗余部分以及一个二输入与非门NAND2和一个反相器INV组成；其中输入信号Vin通过开关S1和S2分别连接至电容C1和C2的上极板，C1和C2的下极板接地；C1和C2的上极板同时分别连接至N型MOS晶体管M5和M12的栅极；C1的上极板分别连接至比较器1的正端和比较器2的负端；比较器1的负端连接至参考电平V1，比较器2的正端连接至参考电平V2；比较器1和比较器2的输出驱动NAND2；NAND2的输出驱动反相器INV；P型MOS晶体管M1和M2的源端接电源，漏端分别与P型晶体管M3和M4的源端相连；M3和M4的漏端分别于N型晶体管M5和M6的漏端相连；M5和M6的源端分别于N型晶体管M7和M8的漏端相连；M7和M8的源端相连，并共同连接至电流大小为ISS的尾电流源；P型晶体管M9的源端连接至电源，漏端连接至P型晶体管M11的源端；M11的漏端与P型晶体管M10的漏端相连，并共同连接至N型晶体管M12的漏端；M12的源端连接至N型晶体管M13与M14的漏端，M13的源端连接至电流大小为ISS/2的尾电流源；M14的源端与M8的源端相连；M1和M2的栅端相连并连接至M1的漏端，同时连接至M10的源端；NAND2的输出驱动M3、M14和M11的栅端；INV的输出驱动M7、M10和M13的栅端；M4的栅端接地，M6的栅端和漏端相连构成输出Vout；M8的栅连电源；M9的栅端和漏端相连。 |
