一种重复使用的半导体基底及其纯化重复使用方法

摘要

本发明公开了一种重复使用的半导体基底，利用在原来基底本体的基础上添加缓冲层和保护层整体作为新的半导体基底使用，可有效的保护基底本体，减少基底本体上的缺陷，缩小基底本体的表面去除量，提高重复使用次数。同时本发明又提供一种操作方便可行的对半导体基底进行纯化重复使用的方法，使外延薄膜剥离技术的生产成本大大降低。

主权项

一种重复使用的半导体基底，其特征在于：包括基底本体、至少一层保护层和至少两层缓冲层，保护层处于各缓冲层之间；各层缓冲层中，具有一层设置于保护层与基底本体之间的最底缓冲层；具有一层处于整个半导体基底的上表面的最顶缓冲层，最底缓冲层与基底本体的材质相同。