| 发明名称 | 一种改性SiO<sub>2</sub>/PVA薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改性SiO2/PVA薄膜及其制备方法。该薄膜是由质量比的m份改性SiO2粒子和m～100份PVA在溶解温度下溶解、冷却浇模成型，或在熔融温度下一次成型，其中0＜m≤20，所述PVA采用PVA1750、PVA1778、PVA1788、PVA1798中的一种。该薄膜可以采用流延法、挤出吹塑法或压延法制得。此改性SiO2制备方法简单，改性SiO2粒子在PVA中能均匀分散，聚醚胺分子链中的醚氧键、胺基与PVA中羟基能形成氢键，使制备的SiO2/PVA薄膜抗拉伸强度、模量、热稳定性显著提高，特别适用于制备透明PVA薄膜制品。 | ||
| 申请公布号 | CN103342870A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310320091.2 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 王雁冰;程龙山;李文静;周晨光;陈娜;彭睿;魏冲;黄志雄 |
| 分类号 | C08L29/04(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;B29C39/02(2006.01)I;B29C49/04(2006.01)I | 主分类号 | C08L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 王守仁 |
| 主权项 | 一种改性SiO2/PVA薄膜，其特征在于：该薄膜是由质量比的m份改性SiO2粒子和m～100份PVA在溶解温度下溶解、冷却浇模成型，或在熔融温度下一次成型，其中0＜m≤20，所述PVA采用PVA1750、PVA1778、PVA1788、PVA1798中的一种。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||