电可擦可编程只读存储器

摘要

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器，包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置深N阱；于该深阱上设有多个P阱，每个P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，沟道区位于源极区域与漏极区域之间；第一浮栅，设置于沟道区上方靠近该源极区域，第二浮栅，设置于该沟道区上方靠近该漏极区域，第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间；各存储单元的浮栅、控制栅、字线、位线、漏极区域、源极区域、沟道区域均被P阱包围，通过本发明，可避免大量使用字线电压选择开关，减少芯片的面积。

主权项

一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置深N阱；于该深阱上设有多个P阱，每个P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；第一浮栅，设置于该沟道区上方靠近该源极区域，第二浮栅，设置于该沟道区上方靠近该漏极区域，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间；各存储单元的浮栅、控制栅、字线、位线、漏极区域、源极区域、沟道区域均被P阱包围。