基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为氧化锌纳米棒阵列的面积的1/4到1/3；在绝缘层上覆盖有单层石墨烯，单层石墨烯一部分与绝缘层接触，剩余部分覆盖在氧化锌纳米棒阵列上；在单层石墨烯上设置有金属电极层。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备成本低、无污染、且光探测能力强的紫外光电探测器，为石墨烯和氧化锌纳米结构在紫外光电探测器的应用中奠定了基础。

主权项

基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：以N‑型硅基底层（1）作为衬底，在所述N‑型硅基底层（1）的上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列（2），在所述氧化锌纳米棒阵列（2）的上表面覆盖有绝缘层（3），所述绝缘层（3）的面积为所述氧化锌纳米棒阵列（2）的面积的1/4到1/3，所述绝缘层（3）的边界不超出所述氧化锌纳米棒阵列（2）的边界；在所述绝缘层（3）上覆盖有单层石墨烯（4），所述单层石墨烯（4）一部分与所述绝缘层（3）接触，剩余部分覆盖在所述氧化锌纳米棒阵列（2）上，所述单层石墨烯（4）的边界不超出所述氧化锌纳米棒阵列（2）的边界；在单层石墨烯（4）上设置有金属电极层（5），所述金属电极层（5）与所述单层石墨烯（4）呈欧姆接触，所述金属电极层（5）的边界不超出所述绝缘层（3）的边界。