| 发明名称 | 一种太阳能电池吸收层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种太阳能电池吸收层的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一基底，于所述基底表面形成底电极；2）加热基底，并以黄铜矿相的CuIn1-xGaxSe2化合物为靶材，采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1-xGaxSe2吸收层薄膜，其中，0<x<1；3）进行退火工艺使所述CuIn1-xGaxSe2吸收层薄膜结晶。本发明采用CuIn1-xGaxSe2化合物靶材射频磁控溅射法制备，在溅射过程中即形成了CuIn1-xGaxSe2相，仅需要通过简单的热处理过程即可提高其结晶度以及晶粒大小，大大降低了传统的溅射后硒化工艺中硒化工艺的难度，同时，可加入厚度很薄的In2S3过渡层，则可进一步提高性能，使得制备的吸收层薄膜具有更好的性能。本发明方案简单，适用于工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103346213A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310272990.X | 申请日期 | 2013.07.01 |
| 申请人 | 上海中科高等研究院 | 发明人 | 方小红;于洋;陈小源;鲁林峰;李东栋;刘东方 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一基底，于所述基底表面形成底电极；2）加热基底，并以黄铜矿相的CuIn1‑xGaxSe2化合物为靶材，采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1‑xGaxSe2吸收层薄膜；3）进行退火工艺使所述CuIn1‑xGaxSe2吸收层薄膜结晶。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||