LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种LED外延结构及其生长方法。该外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在GaN缓冲层上；量子阱层，设置在N型GaN层上；P型GaN层，设置在量子阱层上。上述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在第一N型GaN层上；第三N型GaN层，设置在第二N型GaN层上。上述N型GaN层包括交替设置的Si-Al-GaN层和Si-GaN层。本发明提供的LED外延结构生长方法利用交替式掺杂Si和Al的方式生长N型GaN层，获得Si-Al-GaN/Si-GaN层的周期性结构。采用本发明提供的LED外延结构的生长方法所制作LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。

主权项

一种LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在所述GaN缓冲层上；量子阱层，设置在所述N型GaN层上；以及P型GaN层上，设置在所述量子阱层上。