| 发明名称 |
CELLULE MEMOIRE ELECTRONIQUE A DOUBLE GRILLE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne une cellule mémoire électronique (100) comportant une première grille du transistor de sélection (106) surmontant une première partie (103 ) du canal (103) et un espaceur latéral (107) disposé contre un flanc latéral (108) de la grille du transistor de sélection (106), une partie de l'espaceur latéral (107) formant une grille du transistor mémoire (109) surmontant une seconde partie (103 ) du canal (103). La grille du transistor mémoire (109) comporte un empilement (110) de type ONO et une zone conductrice (112) incluant une face latérale (116) inclinée d'un angle alpha strictement compris entre 0 et 90° par rapport au plan du substrat (101).</p> |
| 申请公布号 |
FR2988896(A1) |
申请公布日期 |
2013.10.04 |
| 申请号 |
FR20120052842 |
申请日期 |
2012.03.29 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
CHARPIN NICOLLE CHRISTELLE |
| 分类号 |
G11C16/04;G11C11/56 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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