发明名称 | 单原子层氮化硼在表面涂层中的应用 | ||
摘要 | 本发明提供了单原子层氮化硼在表面涂层中的应用,可应用的基底包括带有绝缘氧化层或绝缘介电层的金属或半导体,或是高分子柔性材料,或是不导电的无机材料,或是导电的金属,或是光敏半导体材料。基底表面可以是平整的或弯曲的。氮化硼膜层的制备方法包括化学气相沉积、外延生长、等离子体溅射、磁控溅射。结合氮化硼的方式可以是直接生长或者转移至基底表面。该涂层在几乎不改变基底的厚度与外观的情况下,直接将基底的润湿性转化为氮化硼本身的润湿性、增强基底的抗摩擦性能和抗氧化性能。 | ||
申请公布号 | CN103333536A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
申请号 | CN201310222571.5 | 申请日期 | 2013.06.06 |
申请人 | 南京航空航天大学 | 发明人 | 郭万林;李雪梅;殷俊 |
分类号 | C09D1/00(2006.01)I;C09D5/08(2006.01)I | 主分类号 | C09D1/00(2006.01)I |
代理机构 | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人 | 贺翔 |
主权项 | 一种单原子层氮化硼在表面涂层中的应用。 | ||
地址 | 210016 江苏省南京市白下区御道街29号 |