真空处理装置

摘要

本发明提供真空处理装置。成膜装置通过在真空容器内多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环而在基板的表面将薄膜成膜，其具有：设置在真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与多个下部件分别对置地设置，在与载置区域之间形成处理空间的多个上部件；向处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将处理空间经由排气用开口部以及真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。

主权项

一种真空处理装置，该真空处理装置在真空环境气氛下利用处理气体对基板进行处理，该真空处理装置的特征在于，该真空处理装置具有：多个下部件，该多个下部件各自包含基板载置区域；多个上部件，该多个上部件分别与上述多个下部件对置地设置，在与上述基板载置区域之间形成处理空间；处理气体供给机构，该处理气体供给机构相对于由上述上部件以及下部件的组形成的多个处理空间通用；多个分支路，该多个分支路从该处理气体供给机构经由通用的气体供给路分支，用于向上述多个处理空间分别供给处理气体；扩散室，该扩散室设置于上述通用的气体供给路的下游端，具有比该气体供给路的截面积大的截面积，在该扩散室的下游侧连接有上述多个分支路；以及真空排气机构，该真空排气机构用于对上述处理空间进行真空排气。