氧化物半导体膜以及半导体装置

摘要

本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

主权项

一种氧化物半导体膜，包括a‑b面与所述氧化物半导体膜的表面实质上平行且c轴与所述氧化物半导体膜的所述表面实质上垂直的晶体，其中，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于3.3nm‑1并小于或等于4.1nm‑1的区域中具有含有大于或等于0.2nm‑1的半峰全宽的电子衍射强度的第一峰值，并且，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于5.5nm‑1并小于或等于7.1nm‑1的区域中具有含有大于或等于0.2nm‑1的半峰全宽的电子衍射强度的第二峰值。