发明名称 电容性近接传感器以及用于电容性近接检测的方法
摘要 本发明涉及一种电容性近接传感器,其包括:第一传感器电极(E1)及第二传感器电极(E2);信号产生器(E1、E2),其用于提供第一及第二电交变信号;第一负载元件(L),其包括第一及第二电负载,其中可借助于所述第一负载将所述第一交变信号馈送到所述第一传感器电极且借助于所述第二负载将所述第二交变信号馈送到所述第二传感器电极,且其中所述电负载各自与待在所述相应传感器电极处测量的电容性负载共同形成低通滤波器;以及信号处理装置(A),其与所述第一传感器电极且与所述第二传感器电极耦合,且其适于从在所述第一传感器电极处分接的第一电参数及在所述第二传感器电极处分接的第二电参数的推挽部分形成第一测量值。本发明还提供一种用于借助根据本发明的电容性近接传感器进行电容性逼近检测的方法。
申请公布号 CN103339860A 申请公布日期 2013.10.02
申请号 CN201280007526.1 申请日期 2012.01.03
申请人 微晶片科技德国第二公司 发明人 霍尔格·埃尔肯斯
分类号 H03K17/955(2006.01)I 主分类号 H03K17/955(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 沈锦华
主权项 一种电容性近接传感器,其包括第一传感器电极(E1)及第二传感器电极(E2),信号产生器,其用于提供第一电交变信号及第二电交变信号,第一负载元件,其包括第一电负载及第二电负载,其中可借助于所述第一电负载将所述第一电交变信号馈送到所述第一传感器电极(E1),且可借助于所述第二电负载将所述第二电交变信号馈送到所述第二传感器电极(E2),且其中每次所述电负载均与待在所述相应传感器电极(E1、E2)处测量的电容性负载共同形成低通滤波器,以及信号处理装置(A),其与所述第一传感器电极(E1)且与所述第二传感器电极(E2)耦合,且其适于从在所述第一传感器电极(E1)处分接的第一电参数及在所述第二传感器电极(E2)处分接的第二电参数的推挽部分形成第一测量值。
地址 德国吉尔兴