| 发明名称 | 在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火。通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103337452A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310258323.6 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚;陈建维;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极以及硅锗源/漏级；在硅锗层上外延一层硅；对外延硅层进行非晶化处理；在外延硅层上沉积镍铂层；对外延硅层和镍铂层进行第一次快速退火；湿法去除未反应的镍；对外延硅层和镍铂层进行第二次快速退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||