发明名称 | 一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法,具体按照以下步骤实施,步骤1,制备金属电极层;步骤2,制备聚合物溶液;步骤3,旋涂聚合物层;步骤4,通过金属模具制备聚合物的预制结构;步骤5,聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上,没有转移不便的问题,制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸,使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能,该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备,解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列,造成其转移不便和压电性能不好的问题。 | ||
申请公布号 | CN103332649A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
申请号 | CN201310246461.2 | 申请日期 | 2013.06.20 |
申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 安宁丽;方长青;郭彦峰;王权岱;张伟;刘少龙 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 李娜 |
主权项 | 一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施,步骤1,制备金属电极层(3);步骤2,制备聚合物溶液;步骤3,旋涂聚合物层(4);步骤4,通过金属模具(5)制备聚合物的预制结构;步骤5,聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列,即制得具有一维纳米线阵列结构的聚偏氟乙烯(6)。 | ||
地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 |