激光退火方法及激光退火装置

摘要

本发明提供一种进行高品质退火的激光退火方法及激光退火装置。在本发明的激光退火方法中，（a）准备半导体基板，该半导体基板中，在表层部的相对较深区域以相对低浓度添加杂质，在相对较浅区域以相对高浓度添加杂质。（b）对半导体基板照射激光束，将半导体基板熔融至比高浓度杂质的添加区域更深的位置而使添加在相对较浅区域的高浓度杂质活化，并不使半导体基板熔融至低浓度杂质的添加区域而使添加在相对较深区域的低浓度杂质活化。

主权项

一种激光退火方法，其中，具有如下工序：（a）准备半导体基板的工序，该半导体基板在表层部的相对较深区域以相对低浓度添加杂质，在相对较浅区域以相对高浓度添加杂质；及（b）对所述半导体基板照射激光束的工序，使所述半导体基板熔融至比该高浓度杂质的添加区域更深的位置而使添加在所述相对较浅区域的高浓度杂质活化；且不使所述半导体基板熔融至所述低浓度杂质的添加区域而使添加在所述相对较深区域的低浓度杂质活化。