发明名称 |
图像传感器及其形成方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体基底,所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区;位于所述像素阵列区内的若干像素单元,所述像素单元之间通过第一浅沟槽隔离结构相隔离;位于所述周边器件区内的逻辑电路器件,所述逻辑电路器件之间通过第二浅沟槽隔离结构相隔离,且所述第一浅沟槽隔离结构的深度大于所述第二浅沟槽隔离结构的深度。由于只利用较深的第一浅沟槽隔离结构隔离像素单元,不需要形成P型阱区,节省了工艺步骤。且由于第一浅沟槽隔离结构主要用于隔离光电二极管产生的光电子不发生串扰,同时像素单元中的晶体管对应的工作电压也较低,即使具有气泡的第一浅沟槽隔离结构仍然能有效地进行电学隔离。 |
申请公布号 |
CN103337507A |
申请公布日期 |
2013.10.02 |
申请号 |
CN201310264543.X |
申请日期 |
2013.06.27 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
令海阳 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区;位于所述像素阵列区内的若干像素单元,所述像素单元之间通过第一浅沟槽隔离结构相隔离;位于所述周边器件区内的逻辑电路器件,所述逻辑电路器件之间通过第二浅沟槽隔离结构相隔离,且所述第一浅沟槽隔离结构的深度大于所述第二浅沟槽隔离结构的深度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |