| 发明名称 | 一种非挥发阻变存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。 | ||
| 申请公布号 | CN103337250A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310276651.9 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 吴迪;温峥;李爱东;李晨;闵乃本 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人 | 贺翔 |
| 主权项 | 一种基于铁电隧道结的非挥发阻变存储器，其特征在于，该铁电隧道结以半导体为底电极，具有金属/铁电体/半导体结构。 | ||
| 地址 | 210008 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||