一种增强氮化硅薄膜张应力的方法

摘要

本发明公开一种增强氮化硅薄膜张应力的方法，在一硅片的表面淀积有一氮化硅薄膜层，其中，利用一清洗液去除氮化硅表面自然氧化层，然后进行硅片表面氧化层膜厚测定分析，之后，若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度不超出预先设定的厚度值，对氮化硅薄膜层进行紫外线处理；若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度超出预先设定的厚度值，将超出预先设定厚度值的异常硅片隔离处理。本发明的一种增强氮化硅薄膜张应力的方法，通过依靠湿法工艺去除氮化硅薄膜的表面自然氧化层后直接进行应力增强处理（即紫外线处理），使氮化硅薄膜内部的氢能够顺利析出，从而提高氮化硅薄膜密度进而实现提高张应力的目标。

主权项

一种增强氮化硅薄膜张应力的方法，在一硅片的表面淀积有一氮化硅薄膜层，其特征在于，包括以下步骤：利用一清洗液去除氮化硅表面自然氧化层，然后进行硅片表面氧化层膜厚测定分析，之后：步骤a:若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度不超出预先设定的厚度值，对氮化硅薄膜层进行紫外线处理；步骤b：若是硅片表面氧化层膜完成清洗去除之后所剩下的残膜的厚度超出预先设定的厚度值，将超出预先设定厚度值的异常硅片隔离处理并进行其他操作处理，再次进行表面氧化层膜的清洗去除或重新设定单片式湿法清洗设备的参数，或调整其他清洗条件，使得完成再次去除氮化硅表面自然氧化层的硅片所残留的氧化层的厚度能符合规范；其中，将硅片从湿法清洗设备中通过传递装置传递至连接装置，一测量装置对硅片表面的氧化层膜厚进行测定分析，并将测定的残膜数据反馈给所述湿法清洗设备。