发明名称 二极管元件及其制作方法
摘要 一种二极管元件及其制作方法,该二极管元件包括:一二极管薄膜,其具有一第一表面及一第二表面,且包括:一第一导电区域,提供电流密度均匀的电流传导,且该第一导电区域的成份包含一第一氧化物;及一第二导电区域,其包含多个电流通道,提供电流密度不均匀的电流传导,且该电流通道的成份包含一第二氧化物;其中,该第一氧化物不同于该第二氧化物;当一电流传导于该第一表面与该第二表面之间时,该第二导电区域所流过的直流电流密度大于该第一导电区域的10倍以上;一第一电极,其形成于该第一表面上;及一第二电极,其形成于该第二表面上。本发明可解决现有技术薄膜二极管电性特征受材料限制的缺陷,实现高性能的低温工艺的氧化物薄膜二极管。
申请公布号 CN102479824B 申请公布日期 2013.10.02
申请号 CN201010610280.X 申请日期 2010.12.16
申请人 财团法人交大思源基金会 发明人 侯拓宏;黄俊嘉
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种二极管元件,其特征在于,包括:一二极管薄膜,其具有一第一表面及一第二表面,且包括:一第一导电区域,提供电流密度均匀的电流传导,且该第一导电区域的成份包含一第一氧化物;及一第二导电区域,其包含多个电流通道,提供电流密度不均匀的电流传导,且该电流通道的成份包含一第二氧化物;其中,该第一氧化物不同于该第二氧化物;当一电流传导于该第一表面与该第二表面之间时,该第二导电区域所流过的直流电流密度大于该第一导电区域的10倍以上;一第一电极,其形成于该第一表面上;及一第二电极,其形成于该第二表面上。
地址 中国台湾新竹市