图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法。该图形化衬底为：所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。本发明的图形化衬底，是由两种或两种以上单一图形组合而成的复合图形，可以有效降低GaN外延生长的位错密度，提高内量子效率，同时由于本发明的图形衬底光反射面增多，可以加强光的散射，使有源层发出的光经过衬底后反射，增加出光几率；另外，在生长GaN的时候，沟槽里面GaN无法填满，会形成空隙，可以进一步增加光的反射。

主权项

一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。