| 发明名称 | 压电纳米线的叠层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102522493B | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201110404235.3 | 申请日期 | 2011.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 万里兮;周静 |
| 分类号 | H01L41/18(2006.01)I;H01L41/35(2013.01)I;H01L41/333(2013.01)I;B82Y15/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L41/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种压电纳米线的叠层结构，其特征在于，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||