| 发明名称 | 应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103337568A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310193364.1 | 申请日期 | 2013.05.22 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 云峰;王越;黄亚平;田振寰;王宏 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构，其特征在于：包括：外延生长衬底（1），以及依次生长在外延生长衬底上的AlN缓冲层（2）、n型AlGaN层（3）、周期性多层量子阱（4）、电子阻挡层（5）、应变超晶格（6）、n型简并掺杂AlGaN层（7）、n型Si掺杂AlGaN帽层（8）；其中，所述应变超晶格（6）包括p型AlGaN层以及在其上继续生长的单层或多层AlyGa1‑yN/AlxGa1‑xN，其中，y>x>0.65。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 | ||