| 发明名称 | 一种GaN基LED外延结构及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基LED外延结构及其生长方法。该GaN基LED外延结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、第一电子储存区、GaN隔层、第二电子储存区、有源区多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层。本发明的GaN基LED外延结构及其生长方法，能够减小有源区材料的应力，提高GaN基LED的发光效率，提高晶体材料质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103337572A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310268414.8 | 申请日期 | 2013.06.28 |
| 申请人 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 发明人 | 罗绍军;李鸿建;艾常涛;靳彩霞;董志江 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非故意掺杂u‑GaN层、N型掺杂GaN层、第一电子储存区、GaN隔层、第二电子储存区、有源区多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷一路227号 | ||