Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür

摘要

Bereitgestellt wird eine Halbleitervorrichtung oder dergleichen, die einen Kanal und eine Gate-Elektrode in einer Öffnung aufweist und in der die Konzentration eines elektrischen Feldes nahe an einem unteren Abschnitt der Öffnung verringert werden kann. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet: eine vom n–-Typ seiende GaN-Drift Schicht 4/eine vom p-Typ seiende GaN-Barriereschicht 6/eine vom n+-Typ seiende GaN-Kontaktschicht. Eine Öffnung 28 erstreckt sich von der oberen Schicht aus und erreicht die vom n-Typ seiende GaN-basierte Driftschicht. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Regrown-Schicht 27, die in der Öffnung angeordnet ist, wobei die Regrown-Schicht 27 eine Elektronenzuleitschicht 22 und eine Elektronendriftschicht 22 beinhaltet, eine Source-Elektrode S, eine Drain-Elektrode D, eine Gate-Elektrode G mit Anordnung auf der Regrown-Schicht und einen Halbleiterverunreinigungsanpassungsbereich 31 mit Anordnung in dem unteren Abschnitt der Öffnung. Der Verunreinigungsanpassungsbereich 31 ist ein Bereich, der einen Potenzialabfall von der Drain-Elektrodenseite zu der Gate-Elektrodenseite in einer Potenzialverteilung in einem Aus-Zustand fördert.