| 发明名称 | 一种高纯硒纳米粉末的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高纯硒纳米粉末的制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯硒块为阳极，金属钨为阴极，在氩气压力为0.1～0.5MPa的气氛中，反应电流40～80A，阳极与阴极间电压为40～60V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的硒纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的硒纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。 | ||
| 申请公布号 | CN103332658A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310253676.7 | 申请日期 | 2013.06.24 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 张忻;武鹏旭;刘洪亮;马旭颐;路清梅;张久兴 |
| 分类号 | C01B19/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B19/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 刘萍 |
| 主权项 | 一种高纯硒纳米粉末材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属硒块为阳极，金属钨为阴极，在氩气气压为0.1～0.5MPa的气氛中，反应电流40～80A，阳极与阴极间电压为40～60V，反应时间为20～40min。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||