改善电容器件击穿电压的方法

摘要

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种改善电容器件击穿电压的方法，通过在刻蚀形成上极板保护层后，且于刻蚀形成上极板前，增加反应金属聚合生成物的去除步骤，以去除电容器表面的金属聚合物残留，进而避免制备的电容器件因为金属化合物残留而导致击穿电压偏低的现象的产生，增大产品的性能和良率。

主权项

一种改善电容器件击穿电压的方法，应用于电容器件的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一从下至上顺寻依次具有第一金属层、介质层和第二金属层的半导体结构，且该半导体结构的表面覆盖有硬质薄膜；部分刻蚀所述硬质薄膜至所述第一金属层的表面，且于暴露的所述第一金属层的表面上残留有反应金属聚合物；去除所述反应金属聚合物后，继续以剩余的硬质薄膜为掩膜，刻蚀所述第一金属层至所述介质层中；清洗工艺后，形成电容结构。