可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法

摘要

本发明公开了一种可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，包括提供静态随机存储器的晶体管单元，其衬底上具有多晶硅栅层；在晶体管单元上涂布光刻胶层；图形化光刻胶层，形成暴露出多晶硅栅层及其周围衬底待环状注入区域的开口，开口的侧壁是倾斜的，且开口侧壁与开口底部衬底的待环状注入区域表面的夹角为钝角；对开口底部的衬底进行离子环状注入。本发明通过对光刻胶形貌的改变，使得光刻胶侧壁与衬底呈一定角度，从而减小侧壁与环状注入方向的夹角，降低静态随机存储器制备工艺中环状注入工艺的阴影效应，增大了制备工艺的窗口。

主权项

一种可调节阈值电压的静态随机存储器晶体管单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供静态随机存储器的晶体管单元，该晶体管单元的衬底上具有多晶硅栅层；步骤S02，在该晶体管单元上涂布光刻胶层；步骤S03，图形化该光刻胶层，形成暴露出多晶硅栅层及其周围衬底待环状注入区域的开口，该开口的侧壁是倾斜的，且该开口侧壁与开口底部衬底的待环状注入区域表面的夹角为钝角；步骤S04，对该开口底部的衬底进行离子环状注入。